igbt模块的作用是什么？它有哪些用途？

　　IGBT由栅极（G）、发射极（E）和集电极（C）控制。IGBT的开关功能是通过添加正向栅极电压来形成通道，为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT能够导通。相反，添加反向栅极电压以消除通道，切断基极，关闭IGBT。从 2可以看出，如果在IGBT的栅极和发射极之间添加一个驱动正电压，MOSFET就会导通，从而PNP晶体管的集电极和基极处于低电阻状态，使晶体管导通；如果IGBT的栅极和发射极之间的电压为0V，则MOSFET被切断，PNP晶体管的基极电流被切断。IGBT作为电力电子的重要大功率主流器件，广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源、智能电网等领域。还可用于工业，如交通控制、电力转换、工业电机、不间断电源、风力和太阳能设备以及自动控制的变频器。在消费电子产品中，IGBT用于家用电器、相机和手机。igbt模块的作用是什么？它有哪些用途？

　　1.低功率IGBT

　　IGBT一般应用于600V、1KA和1KHz以上的区域。为了满足家电行业的发展需要，摩托罗拉、意大利-法国半导体、三菱等公司推出了低功率IGBT产品，适用于微波炉、洗衣机、电磁炉、电子整流器、相机等产品在家电行业的应用。

　　2、U-IGBT型

　　U（沟槽结构）IGBT是一种沟槽式芯片单元，它在芯片单元内形成沟槽网格。采用沟道结构后，可以进一步减小电池尺寸，减小沟道电阻，提高电流密度，并可以制造额定电流相同、芯片尺寸最小的产品。目前，许多公司生产各种U-IGBT产品，适用于低压驱动和表面安装要求。

　　3、NPT-IGBT型

　　NPT（非直通型）——IGBT采用薄型硅芯片技术，用离子注入到发射区来代替高度复杂和昂贵的厚层高电阻外延，可以降低约25％的生产成本。耐压越高，成本差异越大。它具有性能更高、速度更快、损耗更低、正温度系数、无锁定效应等特点。在设计600-1200V IGBT时，NPT IGBT具有最高的可靠性。西门子可提供600V、1200V、1700V系列产品和6500V高压IGBT，并推出饱和压降低的DLC型NPT-IGBT。Exes、Harris、Intel、Toshiba等公司也开发了NPT-IGBT及其模块系列。富士汽车、摩托罗拉等公司正在开发中，NPT型IGBT正在成为IGBT的发展方向。

　　igbt模块的作用是什么？它有哪些用途？IGBT由栅极（G）、发射极（E）和集电极（C）控制。IGBT的开关功能是通过添加正向栅极电压来形成通道，为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT能够导通。相反，添加反向栅极电压以消除通道，切断基极，关闭IGBT。从可以看出，如果在IGBT的栅极和发射极之间添加一个驱动正电压，MOSFET就会导通，从而PNP晶体管的集电极和基极处于低电阻状态，使晶体管导通；如果IGBT的栅极和发射极之间的电压为0V，则MOSFET被切断，从而切断PNP晶体管基极电流的供应，从而切断晶体管。